Toshiba išleis 1TB flash mikroschemą
2017.02.27
Japonų kompanija Toshiba į gamybą išleido trečios kartos 3D NAND atminties pavyzdžius.
Naujasis 512 GB atmintukas turi three-bit-per-cell triple-level (TLC) technologiją. Ši technologija vėliau šiais metais sugebės sukurti 1 TB talpos čipsetus. Naujųjų 512 GB įrengimų gamyba jau prasidėjo, užsakytas kiekis yra labai didelis iki pat antros metų pusės. Atmintukas yra 65% spartesnis nei praeitos kartos technologija, kuri naudojo 48 NAND elementų sluoksnius. Be 512 GB atmintukų Toshibos BiCS FLASH serija taip pat turi 64 sluoksnių 256 GB pasiūlymą, kurių pardavimai yra labai dideli.
„Trečios kartos BiCS FLASH bei didžiausi industrijos 1 TB čipsetai smarkiai sustiprins mūsų poziciją tarp lyderių. Mes tobulinsime 3D technologiją, kad sukurtume nuolat didėjančią rinkos paklausą“ – teigė TAEC memory bussiness unit vice prezidentas Scott Nelson.
